Клунникова Ю. В. Скачать бесплатно и без регистрации. Программу Avrprog V.1.4 тут. Достоверность полученных теоретических результатов Линейная модель зависимости уровня дефектов в кристалле от параметров роста: y=b 0 + b 1 x 1 + b 2 x 2 + b 3 x 3, где x 1 – скорость движения лодочки (мм/час); x 2 – мощность нагревателя (к. Вт); y – количество пузырей на единицу площади (см - 2 ); x 3 – степень вакуума (Па). Некоторые из них: 1.
Наряду со ставшими уже традиционными рубинами и сапфирами, выращенными методом Вернейля, появились другие синтетические камни: .
Малюков С. П., Клунникова Ю. В. Оптимизация производства изделий из сапфира для электронной техники Германия: LAP Lambert Academic Publishing, – 1. Моделирование распределения температуры в процессе роста монокристаллов сапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации в трехмерных координатах // Известия ЮФУ. Технические науки. Тематический выпуск «Нанотехнологии».
3 Алгоритм проектирования математического и информационного обеспечения получения монокристаллов сапфира.
- В презентации собраны сведения о классе минералов, являющимися.
- Сапфир – разновидность корунда, драгоценный камень I группы, второй по твердости после алмаза. Твердость 9,0 по шкале Мооса, плотность 4,0 г/см3, .
Клунникова Ю. В. Модель влияния параметров технологического процесса получения сапфира на качество кристаллов // Известия ЮФУ. Технические науки. Тематический выпуск «Интеллектуальные САПР». Малюков С. П., Нелина С. Н., Клунникова Ю.
В. Методы оптимизации технологического процесса получения монокристаллов лейкосапфира // Известия ЮФУ. Технические науки. Тематический выпуск «Интеллектуальные САПР».